长鑫存储申请半导体结构专利，提高半导体结构的可靠性及生产良率

金融界2024年1月2日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”，公开号CN117337025A，申请日期为2022年6月结构性理财。

专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构及其制备方法结构性理财。所述半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，在衬底上形成由第一半导体层和第二半导体层交替层叠构成的半导体叠层结构；图形化半导体叠层结构，形成沿第一方向延伸且间隔分布的多个单元结构；去除单元结构中第一半导体层位于第一区域内的部分，以使第二半导体层位于第一区域内的部分形成电容支持结构；在电容支持结构的裸露表面形成电容；电容包括沿远离电容支持结构的方向依次层叠的第一电极、介电层和第二电极；其中，第一区域内的各电容共用同一第二电极。本公开可以实现存储单元的三维堆叠，同时确保半导体结构的电学性能，以提高半导体结构的可靠性及生产良率。

来源：金融界